磷化铌（化学式NbP，分子量123.88）是由铌和磷组成的无机化合物，属于拓扑半金属材料。2015年德国与荷兰联合研究团队发现其在磁场中电阻可增加近万倍，归因于洛伦兹力引发的电子偏转效应及Weyl金属特性下的无质量电子超高速运动（达光速千分之一） 。
该材料在超薄电子器件领域展现出显著潜力：斯坦福大学研究证实，厚度低于5纳米的非晶态磷化铌薄膜导电性优于铜，其拓扑半金属结构使表面导电性随薄膜减薄而增强，且在400℃低温下即可沉积制备，兼容现有硅芯片工艺 。这一特性使其成为解决纳米级电子器件导电衰减问题的候选材料，适用于芯片超薄连接线路制造 。
想要了解更多“磷化铌”的信息，请点击：磷化铌百科
