22nm半导体制造工艺是国际半导体技术蓝图（ITRS）划分的工艺节点，指晶体管栅极最小线宽为22纳米 。2008年业界首次出现采用该制程的RAM存储器 ，2011年IBM生产出首个22纳米工艺SRAM芯片 。2012年，英特尔推出首款采用22nm工艺的消费级CPU Ivy Bridge 。
英特尔于2011年试产，并于2012年在该节点首次大规模量产3D FinFET晶体管技术 。不同厂商研发的22nm工艺可分为平面型CMOS（如台积电22ULP/ULL）、平面FD-SOI（如格芯22FDX）和低功耗FinFET（如英特尔22FFL）等版本 。该制程适用于汽车、物联网、无线通信、导航定位、消费电子等领域 。进入2020年代，该工艺在导航定位（如北斗星通Nebulas IV芯片）、物联网及特种存储器（如MRAM、FeRAM）等领域持续应用，并有基于该节点的CIS芯片、集成电路布图设计及IP核等最新研发成果 。
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