ICP刻蚀机是一种基于电感耦合等离子体技术的干法刻蚀设备，广泛应用于半导体制造、微电子和光电子器件加工等领域。该设备通过两个射频源分别控制等离子体密度和离子轰击能量，在高频电场和磁场作用下于反应腔中产生高密度等离子体，与CF4、SF6等气体反应实现材料刻蚀。其技术兼具等离子体刻蚀和反应离子刻蚀特性，具有各向异性好、刻蚀速率快等特点，相比RIE刻蚀技术，通常具有较低的气压与更高密度的等离子体优势 。
典型设备如NMC 508系列支持200mm硅片工艺，适用于0.35-0.11μm集成电路制造 ，而GSE C200型号则专攻8英寸AlN、GaN等材料的精密刻蚀需求 。氯基ICP刻蚀机可使用氯气、三氯化硼等气体进行砷化镓、磷化铟的刻蚀，氟基ICP刻蚀机可使用六氟乙烷、八氟环丁烷等气体进行硅及硅氧化物的各向异性刻蚀 。截至2025年1月，市场上存在ICP-5000等型号设备 。其他设备型号还包括Oxford PlasmaPro 100、SENTECH SI 500、鲁汶仪器HAASRODE-E200等 。
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