光芯片，即光子芯片，是实现光电信号转换的核心光电子器件，在光通信系统中处于核心地位 。它利用光子进行信息传输与处理，具有高速、高带宽、低功耗、低发热、抗电磁干扰等优势 ，是人工智能算力、数据中心、5G/6G通信等领域的核心技术引擎。主流技术路线包括硅光集成、磷化铟(InP)和薄膜铌酸锂等，其中薄膜铌酸锂作为新材料路线适配超高速应用 。光芯片产品速率覆盖从10G到6.4T ，800G光模块已成为主流高端产品，1.6T光模块正进入规模商用阶段 。全球市场快速增长，中国在10G及以下中低速光芯片领域国产化率已较高，但在25G及以上高速光芯片领域国产化率仍然较低，50G及以上高端芯片国产化率不足10% 。2026年，中国科学家在三维光子芯片制造技术上取得重大突破，提出“离子束折纸术”并行制造方法，加工效率提升超过100倍 ；同年被视为“硅光元年”和“光电共封装（CPO）量产元年” 。部分国内厂商已在高速光芯片领域取得进展 。
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