BCD，全称Bipolar-CMOS-DMOS，是一种将Bipolar（双极型晶体管）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）集成于同一芯片的半导体制造技术，1985年由意法半导体率先研制成功。 该工艺结合了双极器件的高跨导、CMOS的低功耗以及DMOS的高压大电流特性，主要应用于电源管理、汽车电子、工业控制等领域。
2026年1月28日，韩国SK keyfoundry宣布推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺，其导通电阻和击穿电压较前代提升20%以上，并计划同年实现量产。 意法半导体已开发至第九代0.11微米BCD工艺，华虹半导体提供覆盖1.8V至700V的BCD工艺平台，中芯国际则在0.35微米到0.15微米节点积累量产经验。 该技术通过结合SOI、eFlash等技术，向高电压、高功率、高密度方向演进，满足车规级AEC-Q100等可靠性要求。
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